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SiC MOSFET SiC MOSFET

SiC MOSFET

概覽

SiC具有高擊穿電場強(qiáng)度、高截止頻率、高熱傳導(dǎo)率、高結(jié)溫和良好的熱穩(wěn)定性、強(qiáng)抗輻射能力等特點(diǎn)，被稱為第三代半導(dǎo)體材料。



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